中科潞安深紫外LED项目501主厂房完成基础浇筑 预计8月1日前完成封顶

　　中科潞安深紫外LED项目作为集团的重点工程项目，一直备受集团及社会各界关注，目前，该项目501主厂房现已完成基础浇筑，开始进入主体框架施工阶段，将于8月1日前完成封顶。

　　深紫外LED项目分两期建设，总投资约20亿元，一期工程为年产3000万颗紫外LED芯片项目，投资5.4亿元，计划于2018年11月投产；二期工程为年产2亿颗紫外LED芯片项目，投资15亿元，将于2019年开始论证、实施。

　　紫外光可广泛应用于杀菌、医学、固化、通信、光刻、家电等各领域。由于其技术门槛高，本项目建成后将成为全球第一条规模化生产线，在国内外产生重大的影响力。

　　据了解，除501主厂房外，同期进行的502氢气站已完成主体施工，正进行模板拆除工作。工艺设备已完成合同签订及预付款支付，计划于10月10日开始进厂，10月底前完成调试，且出首片；整个项目也将于11月初进行全面试车阶段。

（文 李佳琦 牛小科）

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