深紫外LED项目正式进入联合试运转阶段

　　山西中科潞安深紫外半导体LED项目自开工建设以来，关注度持续走高。12月27日，随着系统的全线启动，标志着该项目正式进入联合试运转阶段，为下一步产品量产化打下了坚实的基础。在山西中科潞安紫外光电科技有限公司负责人的陪同下，集团投融资中心、租赁站、装备公司等相关处室负责人见证了生产线的启动，并参观了深紫外半导体LED生产线。

　　参观中，深紫外半导体LED生产核心设备MOCVD（金属有机气相沉积），吸引参观人员驻足观看。作为化合物半导体外延材料的主要生长、生产设备，是整条生产线中外延段的主要设备之一，也是生产高性能深紫外半导体LED的关键所在。

　　据该公司装备部部长王文军介绍：“这台设备是中科完全拥有自主知识产权的一台设备，通过这台设备可以实现深紫外LED外延片的生产。它的特点是可以实现高温下MOCVD的生长，核心技术就是生产温度可以达到1250摄氏度以上。”

　　在现场记者看到，从外延段、芯片段，再到封装段，所有设备都已处于完全开启状态。同时，技术人员正在采集所有设备的运行参数，并持续做好设备性能的调试工作，预计2019年3月底4月初，年产3000万颗深紫外芯片的一期工程将具备量产化能力。

　　该公司副总经理段瑞飞接受采访时说：“深紫外LED项目从4月1日奠基开始，到现在已整整8个月的时间，已经初步具备了投入生产的这个条件。”

　　记者了解到，该项目是集团与中国科学院半导体研究所合作开发的高新技术项目，主要建设“山西中科潞安半导体产业技术研究院有限公司和山西中科潞安紫外光电科技有限公司”两个平台。其中，半导体研究院是创新技术研发中心和产业化技术研发平台，主要负责前沿半导体技术和高端应用与设计领域的研究。科技公司主要开展从高温MOCVD设备制造、深紫外外延材料，到LED芯片的研发和生产。

　　据段瑞飞介绍：“本条生产线建成以后，预计2019年可以达到年产3000万颗的水平，再往后就可以达到2亿颗的水平，这应该是全世界最大的深紫外LED生产线，相信生产线建成以后，会对全球杀菌消毒产业产生非常大的影响。随着2020年禁汞令的实施，深紫外LED将成功替代汞灯。”

　　另据了解，紫外光属于非可见光，根据电磁波长不同分为浅紫外(UV-A)、深紫外(UV-B、UV-C)。深紫外具有独特的瞬时杀菌作用，未来将完全替代汞灯紫外光源，在白色家电、食品杀菌、环保固化、医用消杀等领域，随着未来科技的发展，将有着广阔的市场应用前景。

　　中科潞安拥有世界最先进的深紫外LED技术，此项目建成后将成为全球首条量产化深紫外LED生产线。以此为基础，适时放大产能，带动长治地区布局千亿级产值的深紫外上下游一体化产业，在长治形成国家级紫外LED产业化集聚中心。

（文/图 牛小科 孔静）

责任编辑：李世臣