中科潞安深紫外LED项目已完成主体封顶工作

　　近日，记者从太阳能科技有限公司了解到，中科潞安深紫外LED项目主建筑主体框架已完成501A二层主体混凝土浇筑，501B三层主体混凝土浇筑，目前正在做二次结构。

　　积极推进与中科院半导体所合作，年内建成“中科潞安半导体产业技术研究院”和1500万支LED芯片的研发线，打造国家级深紫外LED科创平台和产业化集聚中心，2019年建成量产2亿支LED芯片的生产线，打造光伏和深紫外LED一体化示范基地是集团今年的重点目标。

　　据了解，目前该项目已完成市政府支持政策的专题纪要、机电安装开标工作。计划本月完成厂务设备制定技术协议、合同签订及预付款支付工作。工艺设备已有一台MOCVD进场，待厂务设备进场，该项目计划11月底完成系统调试，年底进行试运行。

（文 李佳琦 郭强）

责任编辑：郝佳丽